近年来，随着半导体显示技术的不断更新，消费者对电子产品的显示性能也提出了更高的要求，需求的倒逼加速了面板技术的发展，Oxide TFT技术由此应运而生。该技术在AMOLED有巨大的应用价值，尤其是在大尺寸、超高清、3D显示、高像素密度和低功耗等领域都有显著优势。

当前，主流的TFT技术有a-Si、LTPS及Oxide三种。其中，Oxide技术以其高迁移率、低功耗（漏电流低）及大面积均一性好等优势，越来越受到大众的关注，而TCL华星在该技术领域的深入探寻，也使其有了更大的市场前景。

氧化物薄膜晶体管（Oxide TFT）是利用场效应原理工作的一种半导体器件，其核心结构为半导体有源层/栅极绝缘层/栅极金属层薄膜叠层。目前大部分Oxide TFT中的半导体层采用的都是铟镓锌氧化物（即IGZO），它是一种In/Ga/Zn/O（即IGZO）四种化学元素按一定比例形成的化合物。相比a-Si材料，IGZO凭借独特的载流子传导机制,可在非晶的状态下获得高的电子迁移率。

与传统a-Si TFT显示屏对比，Oxide TFT显示屏解决了a-Si方案现阶段稳定性与迁移率的技术瓶颈，显示性能得到提升；而LTPS受限于设备以及良率等问题主要应用于小尺寸OLED，其在大尺寸OLED上的应用还有一定困难。所以，随着Oxide TFT技术在大尺寸AMOLED显示领域的普及与推广，未来可能会受到更多消费者的青睐。

作为半导体科技行业先锋、显示领域引领者，TCL华星不仅拥有业内高端的大尺寸OLED生产线，同时也掌握了前沿的Oxide TFT技术。

TCL华星采用铜制程顶栅Oxide TFT器件结构，产品寄生电容和RC loading较小，远低于其他结构，因此能够满足高分辨率和高刷新率产品的需求，更加适合于大尺寸显示面板。

为获得更高性能的Oxide TFT器件，TCL华星致力于技术改进，首先通过优化关键膜层的制程工艺获得了高可靠度的Top gate IGZO TFT器件，并成功将它应用到柔性基板上。其次导入了新型Oxide材料，进一步提升了器件特性。

TCL华星也持续致力于顶发射（T/E）减光罩背板技术开发，通过设计新型TFT实现了光罩数量的减少；通过工艺与流程优化，合并不同膜层光罩，实现了兼具较高产品品质及较低生产成本的工艺流程，提升了产品成本竞争力。

应用场景方面，TCL华星结合自身先进技术与科研实力，积极推动相关产品落地。基于Oxide TFT技术，TCL华星融合了高精度喷墨印刷工艺及顶发光的器件结构已推出两款高质量样品——全球首款17”打印式OLED卷轴屏和31”UD喷墨打印OLED，作为TCL华星重点产品，也曾于TCL华星全球生态显示大会（DTC）上亮相，引发业内的广泛关注和热议。与此同时，TCL华星也实现了顶栅Oxide TFT在G11产线的导入，IGZO U% <3%,器件稳定性达到业内领先水平，业内首次实现了G11世代线Oxide TFT-IJP OLED点亮。

未来，依托于不断探索的创新追求和成熟稳定的产线、工艺，TCL华星不仅能够将Oxide TFT显示屏做大做强，加速推动其量产落地，为行业打开更大的“视界”想象，还会积极发展OLED相关方面技术，将更好的显示产品呈现给广大消费者。